Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

144 Seiten, Hardcover
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Reihe Springer Series in Advanced Microelectronics
ISBN 9783642195679
Sprache Englisch
Erscheinungsdatum 18.08.2011
Genre Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik
Verlag Springer Berlin
Herausgegeben von Koichiro Ishibashi, Kenichi Osada
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Kurzbeschreibung des Verlags

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

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