Technology of Gallium Nitride Crystal Growth

348 Seiten, Taschenbuch
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Reihe Springer Series in Materials Science
Themen Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse Elektronik, Nachrichtentechnik Elektronik
ISBN 9783642263897
Sprache Englisch
Erscheinungsdatum 05.09.2012
Größe 235 x 155 mm
Verlag Springer
Herausgegeben von Michal Bockowski, Dirk Ehrentraut, Elke Meissner
LieferzeitLieferung in 7-14 Werktagen
HerstellerangabenAnzeigen
Europaplatz 3 | DE-69115 Heidelberg
ProductSafety@springernature.com
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Kurzbeschreibung des Verlags

Semiconductor materials have been studied intensively since the birth of silicon technology more than 50 years ago. The ability to physically and chemically t- lor their properties with precision is the key factor responsible for the electronic revolution in our society over the past few decades. Semiconductor material s- tems (like silicon and GaAs-related materials) have now matured and found well established applications in electronics, optoelectronics, and several other ?elds. Other materials such as III-Nitrides were developed later, in response to needs that the above mentioned semiconductors were unable to ful?ll. The properties of I- nitrides (AlN, GaN InN, and related alloy systems) make them an excellent choice for ef?cient light emitters in the visible as well as the UV region, UV detectors, and for a variety of electronic device such as high frequency unipolar power devices. There was a major upsurgein the research of the GaN material system around1970.

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