Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente

von Daniel Baierhofer

243 Seiten, Taschenbuch

Kurzbeschreibung des Verlags

Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.

• Reihe: FAU Studien aus der Elektrotechnik
• ISBN: 9783961476190
• Erscheinungsdatum: 22.02.2023
• Genre: Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik
• Verlag: FAU University Press