GUTSCHEIN
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MOP-tranzistory s diälektrikom High-K sposobstwuüt tehnologicheskomu progressu
80 Seiten, Taschenbuch
€ 49,70
| Themen | Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse Energietechnik, Elektrotechnik und Energiemaschinenbau Elektrotechnik |
|---|---|
| ISBN | 9786207053674 |
| Sprache | Russisch |
| Erscheinungsdatum | 16.01.2024 |
| Größe | 220 x 150 mm |
| Verlag | Sciencia Scripts |
| Lieferzeit | Lieferung in 7-14 Werktagen |
| Herstellerangaben | Anzeigen info@bod.de |
Unsere Prinzipien
- ✔ kostenlose Lieferung innerhalb Österreichs ab € 35,–
- ✔ über 1,5 Mio. Bücher, DVDs & CDs im Angebot
- ✔ alle FALTER-Produkte und Abos, nur hier!
- ✔ keine Weitergabe personenbezogener Daten an Dritte
- ✔ als 100% österreichisches Unternehmen liefern wir innerhalb Österreichs mit der Österreichischen Post
Kurzbeschreibung des Verlags
Dostizheniq w tehnologii izgotowleniq high-k pozwolili dobit'sq ogromnogo progressa w mikroälektronnoj promyshlennosti, kak za schet uluchsheniq harakteristik otdel'nyh tranzistorow, tak i za schet wozmozhnosti integracii bol'shego kolichestwa tranzistorow w chip. V blizhajshie gody MOP s high-k mogut izmenit' scenarii sozdaniq tranzistorow malogo razmera. Poätomu issledowaniq ätogo ustrojstwa dolzhny prodolzhat'sq s intensiwnymi äxperimentami. Vliqnie wysokokristallicheskogo diälektrika (TiO2) takzhe nablüdaetsq na NMOS-tranzistore. Obnaruzheno, chto podporogowyj tok utechki umen'shaetsq s uwelicheniem porogowogo naprqzheniq; äto snizhaet potreblqemuü moschnost' i, takim obrazom, uluchshaet harakteristiki NMOS-tranzistora. Snizhenie utechki na zatwore i podporogowogo razmaha delaet wysokokristallicheskuü NMOS-strukturu sil'noj al'ternatiwoj dlq buduschih nanorazmernyh MOS-ustrojstw. Iz analiza takzhe mozhno sdelat' wywod, chto po mere umen'sheniq masshtaba ustrojstw porogowoe naprqzhenie snizhaetsq.
| Themen | Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse Energietechnik, Elektrotechnik und Energiemaschinenbau Elektrotechnik |
|---|---|
| ISBN | 9786207053674 |
| Sprache | Russisch |
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